世界中の窒化ガリウム（GaN）デバイス市場は2019年に205億6000万ドルに達し、着実に成長すると予想されています。これは2020年の211億8000万ドルから2027年までに284億ドルに増加すると予想され、2024年から2027年の年間平均複合成長率（CAGR）は4.28％と予想されます。
窒化ガリウム（GaN）は、高度な機能としてよく知られている最先端の半導体デバイスです。高電力トランジスタに非常に適しており、特に高温環境で優れています。 GaNベースのデバイスは、大きな電界、向上したエネルギー効率、高い飽和速度、印象的な降伏電圧、優れた熱伝導機能など、いくつかの利点を提供します。
2020年2月、STMicroelectronicsとTaiwan Semiconductor Manufacturing CompanyがGaNプロセス技術の開発を加速するために力を合わせました。今回のコラボレーションの目標は、統合および個々のGaNベースの製品の可用性を向上させ、GaNデバイス市場のさらなる成長を促進することです。
レポートを閲覧する：
https://www.fortunebusinessinsights.com/gallium-nitride-gan-devices-market-103367
主なプレーヤー：窒化ガリウムデバイス市場
このレポートでは、業界リーダーや新興プレイヤーを含む、窒化ガリウムデバイス市場で活動している主要なプレイヤーを紹介します。このプレーヤーは、市場シェア、製品ポートフォリオ、ビジネス戦略、最近の開発に基づいて分析されました。市場の主なプレイヤーは次のとおりです。

• Cree, Inc. (アメリカ)
• Infineon Technologies AG（ドイツ）
• 効率的な電力変換企業です。 (アメリカ)
• Epistar Corporation (台湾)
• GaNシステム（カナダ）
• メイコム（アメリカ）
• マイクロセミ（アメリカ）
• 三菱電機（日本）
• 日亜株式会社（日本）
• ノースロップ・グラマン・コーポレーション(韓国)
• Nxp半導体。 (オランダ)

セグメンテーション：窒化ガリウムデバイス市場
窒化ガリウムデバイス市場のセグメンテーション：

• アプリケーション：GaNデバイスは、パワーエレクトロニクスデバイス、通信用RFデバイス、LED、およびレーザダイオード用のオプトエレクトロニクスデバイスに使用されます。
• 最終用途産業：家電、自動車、航空宇宙、防衛産業の分野は、GaNデバイスを主に採用する分野です。
• 製品タイプ：GaNパワートランジスタ、RFデバイス、オプトエレクトロニクスデバイスは、さまざまなアプリケーションに適しています。
• 地域市場：北米、ヨーロッパ、アジア太平洋地域は、家電製品、自動車、航空宇宙部門を中心に大きな需要を見せています。

主な市場洞察力：
このレポートは、市場のダイナミクス、トレンド、機会、課題など、主要な市場洞察を提供します。窒化ガリウムデバイス市場の成長を促進し抑制する要因の包括的な分析を提供します。主な市場洞察力は次のとおりです。

• 市場規模と成長予測
• 競争環境分析
• 技術の発展
• 規制フレームワーク
• 投資機会

最新動向：窒化ガリウム装置市場
このレポートは、窒化ガリウムデバイス市場で観察された最新の動向を強調しています。これらの傾向は業界を形成しており、市場の成長に大きな影響を与えると予想されます。市場で確認された最新動向のいくつかは次のとおりです。

• 電気自動車へのGaNデバイスの採用増加
• 再生エネルギーシステムにおけるGaNベースのパワーエレクトロニクスに対する需要の増加
• GaNデバイス製造技術の発展

推進要因：窒化ガリウム装置市場
このレポートは、窒化ガリウムデバイス市場の成長を促進する主な推進要因を識別します。これらの要素には以下が含まれます。

• エネルギー効率の高いデバイスに対する需要の増加
• 5GインフラでGaNデバイスを採用
• 研究開発活動への投資増加